氢化锗检测

检测项目

1.纯度测定：总金属杂质≤10ppm；非金属杂质（O/N/C）≤500ppm
2.晶体结构分析：XRD测定晶格常数（a=5.6570.003），结晶度≥98%
3.氢含量测试：热脱附法测定H原子占比（1.5-2.3at.%）
4.表面形貌表征：SEM观测表面粗糙度Ra≤5nm
5.电学性能测试：霍尔效应仪测量载流子浓度（110⁶~510⁷cm⁻）

检测范围

1.半导体级氢化锗单晶片（直径100-300mm）
2.光伏用氢化锗薄膜（厚度50-200nm）
3.纳米结构氢化锗粉体（粒径20-100nm）
4.红外光学器件镀膜材料
5.高纯氢化锗溅射靶材（纯度≥6N）

检测方法

1.ASTME158-86(2021)：火花源质谱法测定痕量金属杂质
2.ISO14707:2020：辉光放电光谱法分析表面成分
3.GB/T13301-2020：X射线衍射法定量相组成
4.ISO18114:2021：二次离子质谱深度剖析
5.GB/T20127-2019：电感耦合等离子体质谱法测定非金属元素

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：全自动θ-θ测角仪，Cu靶Kα辐射（λ=1.5406）
2.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：质量分辨率0.3amu，检出限≤0.01ppb
3.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：ScanAsyst模式成像精度0.1nm
4.Agilent8860GC-MS系统：配备高温热脱附模块（800℃）
5.OxfordInstrumentsAZtecSynergyEDS：硅漂移探测器能量分辨率127eV
6.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪：532nm激光器，空间分辨率0.5μm
7.KeysightB1500A半导体参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA
8.ZeissMerlinCompact场发射扫描电镜：分辨率1nm@15kV
9.LECOONH836氧氮氢分析仪：脉冲炉温度≥3000℃
10.LakeShore8404霍尔效应测试系统：磁场强度2T0.05%

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.