检测项目
1.受主原子浓度测定:测量范围0.1ppm-10%,精度要求(2%读数+0.05ppm)
2.晶格占位率分析:Kα特征X射线衍射半峰宽≤0.01
3.深度分布剖面:溅射速率控制精度0.5nm/s(0-500nm深度)
4.激活能测试:温度控制精度0.5K(300-1200K范围)
5.载流子浓度关联性:霍尔效应测试分辨率110^10cm^-3
检测范围
1.III-V族半导体材料:GaAs中Zn掺杂浓度0.5-510^18cm^-3
2.硅基半导体器件:硼掺杂外延层厚度50-300nm
3.宽禁带半导体:4H-SiC中Al掺杂梯度分布
4.光伏材料:碲化镉薄膜中Cu掺杂均匀性
5.超导材料:YBCO中Ca替代Y位点比例测定
检测方法
1.二次离子质谱法(SIMS):ISO18114:2021深度分辨率≤3nm
2.辉光放电质谱法(GDMS):ASTME1479-16检出限≤0.01ppm
3.俄歇电子能谱(AES):GB/T20176-2023空间分辨率15nm
4.X射线光电子能谱(XPS):ISO15472:2020结合能标定0.1eV
5.扩展X射线吸收精细结构(EXAFS):JISK0134-2022配位数误差0.2
检测设备
1.ThermoScientificiCAP7400ICP-OES:波长范围166-847nm,检出限0.1ppb
2.CAMECAIMS7f-autoSIMS:质量分辨率M/ΔM≥20,000@m/z=28
3.PHI5000VersaProbeIIIXPS:单色AlKα源(1486.6eV),束斑≤10μm
4.Agilent8800TripleQuadrupoleICP-MS:质量数范围3-270amu
5.BrukerD8ADVANCEXRD:Cu靶Kα辐射(λ=1.5406),角度重复性0.0001
6.OxfordInstrumentsAZtecWaveWDS:能量分辨率<10eV@MnKα
7.JEOLJAMP-9500FAuger:电子束能量0.5-30kV,束流10pA-1μA
8.HORIBALabRAMHREvolutionRaman:空间分辨率250nm@532nm激光
9.LakeShore8404HallSystem:磁场强度0-2T,温度范围10-400K
10.SPECSPHOIBOS150XPS/ARPES:半球分析器能量分辨率≤0.3meV
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。