检测项目
测井系列验证:
- 传感器响应校验:基线漂移量(≤±1%FS),温度系数偏差(≤0.05%/℃)
- 刻度文件完整性:包含6点动态标定记录(参照APIRP86)
流量测量类:- 涡轮流量计:启动阈值(≤0.1m/s),非线性校正系数(R²≥0.998)
- 示踪流量测量:峰值定位误差(≤0.2m)
相态识别类:- 电容持水率计:介电常数响应(ε校准曲线斜率偏差±3%)
- 伽马密度计:密度分辨率(±0.01g/cm³),泥浆示踪剂衰减校正
温度剖面类:- 分布式光纤:测温精度(±0.1℃),空间分辨率(1m)
- 点式温度计:响应时间(≤5s)
压力监测类:- 石英压力计:长期稳定性(≤0.01%FS/月)
- 压差传感器:量程比(100:1),零点漂移(≤0.025%FS)
解释算法验证:- 流型识别准确率(≥95%),滑脱模型偏差(≤±5%)
- 分层流量反演:单层贡献率误差(≤±8%)
动态标定校验:- 模拟井测试:全量程线性度(≤±1.5%)
- 多相流环路验证:气液比适应性(0-95%GVF)
数据一致性检验:- 时间对齐误差(≤0.1s),深度匹配精度(±0.05m)
- 曲线吻合度:相关系数(R≥0.92)
环境适应性:- 高温稳定性:175℃连续工作(误差≤±2%)
- 振动噪声抑制:10g加速度下信噪比(≥40dB)
质量控制指标:- 解释报告完整性:包含8项必填参数项
- 原始数据可追溯:校验周期(≤90天)
检测范围
1.常规油气井:涵盖直井/斜井产出剖面,验证气液两相流解释模型适用性
2.高含水井:重点检验低流量(<5m³/d)持水率测量精度
3.注水井:验证注入剖面吸水均匀性分析模型
4.稠油井:检测非牛顿流体粘度修正模型有效性
5.水平井:验证多相流分层解释算法及井筒轨迹校正
6.高温高压井:重点验证175℃/105MPa环境传感器漂移补偿
7.低产井:流量测量下限验证(液体≥0.5m³/d,气体≥50m³/d)
8.含砂井:检测涡轮磨损误差及伽马密度计砂影响校正
9.凝析气井:验证反凝析相变识别精度
10.智能完井:永久监测系统数据连续性验证
检测方法
国际标准:
- APIRP86产出剖面测井仪校准规范
- ISO3171:2022石油天然气工业-多相流量计现场验证
- ISO15156-3油气生产中含H2S环境材料适应性评价
国家标准:- SY/T7612-2021生产测井仪刻度规范
- SY/T6696-2014井下流量测量仪校准方法
- GB/T33608-2022油气井分布式光纤监测系统
方法差异说明:ISO3171要求8点动态标定,SY/T6696采用5点标定;APIRP86规定涡轮响应测试需包含流体粘度修正,国标仅作推荐性要求。
检测设备
1.多相流标定装置:MPF2400型(流量范围:液0.1-600m³/d,气1-12000m³/d)
2.高温高压试验舱:HPHT-200型(温度200℃,压力140MPa)
3.高精度流量标准装置:CompactProverV3(精度±0.05%)
4.动态响应测试台:DRT-8X(阶跃响应时间≤10ms)
5.井下传感器模拟系统:WMS-5000(支持8通道同步采集)
6.多相流解释软件平台:PPS2023(集成23种流型识别算法)
7.三维井筒模拟器:WellSim-9D(空间分辨率0.01m)
8.分布式温度解调仪:DTS-X12(测温精度±0.1℃,通道数128)
9.伽马密度标定源:Cs-137标准源(活度10μCi,能量662keV)
10.振动噪声测试系统:VIBROTEST60(频率范围5-10000Hz)
11.高温持率计标定装置:HTHP-HS300(温度175℃,压力105MPa)
12.电子压力标准器:PPCH-10K(精度±0.008%FS)
13.数据一致性分析平台:LogQCPro(支持9种深度匹配算法)
14.光纤应变标定器:FOS-CAL500(分辨率1με)
15.井下工具串测试台:WTS-120(最大长度12m,承重3t)
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。