碳化硅电磁试验

检测项目

1. 材料本征参数测试：电阻率，载流子浓度与迁移率，禁带宽度，霍尔效应系数。

2. 高频介电性能测试：介电常数，介质损耗角正切，频率-介电特性谱。

3. 器件静态参数测试：正向导通特性，反向击穿电压，漏电流。

4. 开关特性动态测试：开通时间与延迟，关断时间与延迟，开关能量损耗。

5. 动态导通电阻测试：栅极偏置应力下的电阻变化，高温动态电阻。

6. 栅极可靠性测试：栅极氧化层介电强度，阈值电压稳定性，栅极漏电。

7. 反向恢复特性测试：体二极管反向恢复时间，反向恢复电荷，软度因子。

8. 寄生参数提取：封装寄生电感，寄生电容，键合线电阻。

9. 电磁兼容预兼容测试：传导发射，辐射发射，谐波电流。

10. 热-电耦合特性测试：结温与导通压降关系，热阻下的开关特性。

11. 功率循环与老化测试：电应力与热应力协同作用下的参数漂移。

12. 短路耐受能力测试：短路安全工作区，短路承受时间。

13. 电磁屏蔽效能测试：封装与模块的电磁屏蔽性能测试。

14. 高频噪声特性测试：器件工作时的近场电磁噪声分布。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅肖特基势垒二极管、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管、碳化硅结型场效应晶体管、碳化硅双极型晶体管、碳化硅功率模块、混合碳化硅功率模块、碳化硅栅极驱动测试板、碳化硅基集成电路晶圆、封装后的碳化硅分立器件、车规级碳化硅功率模块、用于射频的碳化硅器件、碳化硅陶瓷覆铜板

检测设备

1. 半导体参数分析仪：用于精确测量器件的静态电流-电压特性曲线；具备高精度电压源与测量单元。

2. 动态参数测试系统：专用于测试功率器件的双脉冲开关特性；配备高带宽电流探头与差分电压探头。

3. 网络分析仪：测量器件及材料在高频下的散射参数与阻抗参数；工作频率可覆盖射频至毫米波波段。

4. 阻抗分析仪：精确测量电容、电感及介电材料的复阻抗特性；适用于栅极电容和封装寄生参数分析。

5. 高低温探针台：为晶圆级测试提供可控的温度环境；可在宽温范围内进行电学性能表征。

6. 功率循环与老化测试系统：对器件施加周期性的电热应力以考核其寿命与可靠性；集成温度监测与失效判断功能。

7. 短路测试平台：用于测试器件在极端过流状态下的耐受能力；具备高速保护与数据采集系统。

8. 示波器：捕获开关过程中的瞬态电压与电流波形；需具备高采样率与大存储深度。

9. 频谱分析仪与接收机：用于测量器件工作时的传导与辐射电磁干扰水平；符合相关电磁兼容测试标准要求。

10. 热阻测试仪：通过电学方法测量器件的结壳热阻等热学参数；采用瞬态热测试技术。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.