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碳化硅化学分析

原创
发布时间:2026-04-07 17:47:24
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检测项目

1.主成分分析:碳化硅含量、总硅含量、总碳含量。

2.游离组分测定:游离硅、游离碳、未反应组分含量。

3.硅氧化物分析:二氧化硅含量、硅酸盐杂质、氧化硅残留。

4.金属杂质元素分析:铁含量、铝含量、钙含量、镁含量。

5.微量杂质元素分析:钛含量、锰含量、钠含量、钾含量。

6.氧化物成分测定:三氧化二铝、氧化铁、氧化钙、氧化镁。

7.挥发与灼烧特性分析:挥发分、灼烧减量、加热失重。

8.酸碱溶解特性测定:酸不溶物、碱不溶物、可溶性杂质。

9.水分与湿存状态分析:水分含量、吸附水、干燥失重。

10.痕量有害元素测定:重金属杂质、痕量污染元素、残留杂质元素。

11.灰分与残渣分析:灰分含量、不溶残渣、消解残留物。

12.原料纯度评价:化学纯度、杂质总量、成分均匀性。

检测范围

碳化硅粉、绿碳化硅、黑碳化硅、碳化硅微粉、碳化硅颗粒、碳化硅块料、碳化硅原料、碳化硅耐火材料、碳化硅陶瓷粉体、反应烧结碳化硅、无压烧结碳化硅、重结晶碳化硅、碳化硅研磨材料、碳化硅喷砂材料、冶金用碳化硅、铸造用碳化硅、碳化硅添加剂、再生碳化硅

检测设备

1.电感耦合等离子体发射光谱仪:用于测定碳化硅中多种金属元素含量,适合常量和微量杂质分析。

2.原子吸收分光光度计:用于测定铁、铝、钙、镁等元素含量,适用于特定金属杂质定量分析。

3.紫外可见分光光度计:用于显色体系测定,可开展部分化学组分和杂质含量分析。

4.红外碳硫分析仪:用于测定样品中的碳含量及相关组分变化,适合主成分辅助分析。

5.氧氮分析仪:用于测定材料中的氧含量及相关气体元素水平,评价氧化程度和杂质状态。

6.分析天平:用于样品称量和质量变化测定,是水分、灼烧减量及残渣分析的基础设备。

7.高温马弗炉:用于灼烧、灰分测定和热处理前处理,可实现恒温加热和失重分析。

8.干燥箱:用于样品干燥和恒重处理,适用于水分及干燥失重测定。

9.酸消解装置:用于样品前处理和元素溶出,为后续杂质元素分析提供测试溶液。

10.过滤分离装置:用于不溶物分离、残渣收集和溶液净化,适用于酸不溶物及残渣项目测定。

北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.

合作客户(部分)

1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;

2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;

3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;

4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。

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