高角度环形暗场扫描透射电子显微镜检测

检测项目

1.晶体结构分析：晶格常数测量、原子位置确定、晶面间距计算、晶体取向分析、相组成鉴定、晶体对称性测试、晶格畸变检测、超结构成像、界面结构表征、应变场映射、孪晶界观察、晶界原子配置、位错核心结构、堆垛层错分析、反相畴界成像。

2.成分与元素分布：原子序数对比度成像、元素分布映射、成分定量分析、掺杂浓度测定、界面成分扩散、元素偏聚检测、固溶体均匀性、核壳结构验证、成分梯度测量、元素面分布、线扫描分析、点分析能谱、三维成分重构、轻元素探测、重元素识别。

3.缺陷与界面表征：位错类型鉴定、位错密度统计、空位团簇观察、间隙原子检测、析出相形貌、析出相分布、晶界结构分析、相界面结构、畴结构成像、反相边界、层错四面体、空洞缺陷、裂纹尖端结构、辐照损伤测试、界面原子互扩散。

4.纳米材料分析：纳米颗粒尺寸统计、纳米颗粒形状分析、纳米颗粒分散性、纳米线直径测量、纳米管结构表征、量子点尺寸分布、核壳结构确认、异质结构界面、纳米晶取向关系、表面原子排列、内部缺陷检测、成分均匀性、团聚状态测试、表面修饰层厚度、孔隙结构成像。

5.薄膜与多层结构：薄膜厚度测量、界面粗糙度分析、层间扩散检测、外延生长质量、应变松弛观察、多层周期测定、界面反应层、缺陷密度统计、表面形貌表征、截面结构分析、薄膜均匀性、界面原子键合、应力场分布、层错密度、位错网络。

6.半导体器件表征：晶体管沟道成像、栅极介电层厚度、源漏结深度、缺陷态分布、掺杂剖面分析、界面态密度、量子阱结构、超晶格周期、异质结界面对齐、位错线终止、应变硅层质量、金属硅化物形成、接触孔形貌、互连线路分析、隔离层完整性。

7.催化剂材料研究：活性颗粒尺寸、活性颗粒分布、载体相互作用、表面原子结构、活性位点成像、团聚行为观察、反应前后变化、成分演化跟踪、表面重构过程、原子迁移现象、负载量测定、分散度测试、热稳定性测试、烧结过程监测、再生效果验证。

8.能源材料分析：电极材料晶格结构、离子扩散路径观察、相变过程监测、循环后结构演变、界面副反应、裂纹形成机制、孔隙结构分布、成分梯度变化、晶界工程测试、固态电解质接触、锂枝晶生长、阴极材料退化、阳极材料膨胀、隔膜结构完整性、集流体腐蚀。

9.生物与软物质成像：生物大分子定位、纳米颗粒标记、细胞切片结构、脂质体形貌、聚合物组装体、胶束结构分析、复合材料界面、染色剂分布、切片厚度均匀性、辐照损伤控制、低剂量成像优化、对比度增强处理、三维重构切片对齐、软组织保护、冰包埋质量。

10.定量图像分析：图像对比度校准、分辨率标定、信噪比计算、图像畸变校正、尺寸测量精度、角度测量准确度、统计分布直方图、相关函数分析、傅里叶变换滤波、图像分割阈值、特征提取算法、三维体素重建、图像配准精度、数据重复性验证、误差分析报告。

11.原位与动态实验：加热过程结构演变、冷却过程相变观察、力学加载变形机制、电场诱导结构变化、气氛环境反应跟踪、电子束辐照效应、实时成像帧率、时间分辨率控制、温度校准精度、应力测量准确性、环境控制稳定性、样品漂移补偿、数据同步采集、动态过程量化、失效机制分析。

12.样品制备测试：离子减薄质量测试、聚焦离子束切片厚度、电解抛光均匀性、超薄切片完整性、样品污染程度、样品漂移速率、样品导电性处理、支撑膜稳定性、样品取向准确性、表面氧化层控制、截面制备垂直度、样品损伤最小化、转移过程完整性、存储条件影响、预处理方法验证。

13.仪器性能校准：电子光学系统对齐、探针尺寸测量、束流稳定性监测、扫描线性校正、图像放大倍率校准、像散校正精度、合轴状态优化、探测器效率标定、暗场环收集角校准、信号噪声比测试、分辨率测试标样、对比度传递函数、仪器稳定性长期监测、环境振动影响、电磁干扰屏蔽。

14.数据处理与解析：原始图像去噪、背景扣除算法、图像增强处理、峰值位置拟合、晶格条纹分析、快速傅里叶变换衍射谱标定、倒易空间重构、三维断层重建、原子坐标精修、应变张量计算、缺陷密度统计、成分剖面提取、图像融合技术、数据可视化输出、格式兼容性验证。

15.质量控制与标准化：检测流程规范性、操作程序符合性、数据记录完整性、结果报告准确性、方法验证重复性、人员培训有效性、设备维护周期性、校准证书追溯性、环境条件监控、样品标识唯一性、数据存储安全性、审核记录可查性、不确定度测试、质量控制图表、持续改进记录。

检测范围

金属纳米颗粒、半导体量子点、陶瓷薄膜材料、合金相变样品、高分子复合材料、催化活性材料、锂离子电池电极、固态电解质片、太阳能电池薄膜、热电材料晶粒、超导材料晶界、磁性纳米结构、光学功能涂层、生物医用植入体表面、纳米线器件截面、二维材料层状结构、光子晶体样品、金属有机框架晶体、碳纳米管组装体、钙钛矿太阳能电池活性层。

检测方法/标准

国际标准：

ISO 16700、ISO 21363、ISO 22493、ISO 25498、ISO 29301、ISO 11952、IEC 62629-1、IEC 62629-2

国家标准：

GB/T 27788、GB/T 30067、GB/T 34873、GB/T 36075、GB/T 36589、GB/T 36984、GB/T 37329、GB/T 38783

检测设备

1.高角度环形暗场扫描透射电子显微镜：配备高亮度场发射电子枪、高稳定性扫描线圈和高灵敏度环形暗场探测器；实现原子分辨率成像和高对比度成分敏感成像，支持同步能谱采集。

2.能谱仪：用于元素成分的定性和定量分析；高分辨硅漂移探测器，可进行点分析、线扫描和面分布映射，轻元素探测能力优化。

3.电子能量损失谱仪：提供元素识别、化学态分析和低损失谱成像；高能量分辨率单色器，支持光谱成像和三维电子能量损失谱断层扫描。

4.扫描透射电子显微镜样品杆：包括原位加热杆、原位力学测试杆、原位电学测试杆和原位气体环境杆；实现动态过程观察，温度范围从液氮低温至一千摄氏度以上。

5.离子减薄仪：用于制备电子透明薄膜样品；精确控制离子束能量和入射角，实现样品均匀减薄和表面损伤最小化。

6.聚焦离子束系统：用于制备特定位置的透射电子显微镜截面样品；结合电子束成像和离子束铣削，实现纳米精度切片和三维重构样品制备。

7.图像处理与分析软件：专门用于扫描透射电子显微镜图像的处理、分析和量化；包括图像滤波、晶格条纹分析、快速傅里叶变换、应变测量和三维重建模块。

8.样品预处理设备：包括电解抛光机、超薄切片机、超声波清洗机和等离子清洗机；确保样品表面清洁、无污染且满足电子显微镜观察要求。

9.校准标样套装：包含晶格常数标样、分辨率测试标样和放大倍率标样；用于仪器性能的定期校准和验证，确保测量结果的准确性和可追溯性。

10.环境控制系统：包括防震平台、电磁屏蔽室和恒温恒湿空调；为高分辨率成像提供稳定的外部环境，最小化振动、温度和电磁干扰的影响。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.