TDDB寿命测试

检测项目

1. 电性能测试：击穿电压、漏电流、栅氧化层电容、界面态密度、平带电压漂移、时间零击穿、时间相关击穿、电场加速因子、温度加速因子、寿命分布、电荷俘获、陷阱辅助隧穿、弗兰克尔-普尔发射、肖特基发射、载流子注入、介质损耗、绝缘电阻、介电常数、频率特性、瞬态响应、稳态特性等。

2. 寿命测试：加速老化测试、失效时间分析、威布尔分布拟合、中位寿命、特征寿命、失效百分比、寿命预测模型、加速应力条件、实际使用条件转换、老化速率、失效机理分析、寿命加速因子、应力电压选择、温度依赖性、时间依赖性、统计分布分析、早期失效检测、长期可靠性测试等。

3. 环境适应性测试：高温高湿存储、温度循环、温度冲击、低气压测试、盐雾测试、振动测试、机械冲击、正弦振动、随机振动、湿热循环、干燥存储、腐蚀环境测试、粉尘测试、防水测试、防潮测试、紫外线老化、臭氧暴露等。

4. 材料分析测试：氧化层厚度、界面特性、缺陷密度、杂质浓度、材料成分、晶体结构、表面形貌、元素分析、能谱分析、X射线衍射、扫描电镜观察、透射电镜分析、原子力显微镜检测、表面粗糙度、膜层均匀性、化学稳定性、热稳定性等。

5. 热性能测试：热传导系数、比热容、热扩散系数、高温存储、低温存储、热循环、热冲击、热稳定性、温度分布、热应力分析、热膨胀系数、热循环寿命、热失效温度、散热性能、温度梯度测试等。

6. 机械性能测试：抗拉强度、硬度、冲击韧性、疲劳寿命、蠕变性能、尺寸稳定性、密封性能、连接器耐久性、外壳防护等级、抗弯曲性能、抗压强度、剪切强度、扭转测试、振动耐久性等。

7. 可靠性测试：早期失效率、浴盆曲线分析、平均无故障时间、失效模式分析、根本原因分析、加速寿命测试、老化测试、耐久性测试、应力松弛、蠕变断裂、环境应力筛选、可靠性增长测试、寿命周期测试等。

8. 电气应力测试：过电压测试、过电流测试、静电放电、浪涌冲击、电压暂降、短时中断、谐波电流、电磁干扰、瞬态过载、直流偏置、交流应力、脉冲应力、噪声干扰等。

9. 化学分析测试：电解质组成、杂质含量、水分含量、气体析出、材料降解、界面反应、腐蚀测试、氧化测试、酸碱耐受性、溶剂抵抗性、化学腐蚀速率、元素迁移等。

10. 结构完整性测试：外壳强度、连接件可靠性、密封性、防尘防水等级、抗震性能、疲劳强度、材料耐久性、组装精度、热膨胀匹配、机械振动耐受、冲击防护等。

11. 功能安全测试：故障诊断、预警机制、通信协议、数据记录、远程监控、安全状态测试、风险分析、安全功能验证、冗余设计测试、错误注入测试、安全完整性等级测试等。

12. 一致性测试：器件间参数差异、批次一致性、生产变异、筛选测试、配对性能、模块性能、系统集成测试、参数漂移、温度系数一致性等。

13. 噪声与振动测试：声压级、振动频率、加速度、位移量、噪声频谱、共振点分析、减振效果、声学性能、机械稳定性、环境噪声影响、振动模态分析等。

14. 光学性能测试：透光率、反射率、折射率、颜色稳定性、紫外老化、光致降解、光敏特性、光谱响应、发光效率、颜色坐标等。

15. 电磁兼容性测试：辐射发射、传导发射、辐射抗扰度、传导抗扰度、静电放电、电快速瞬变脉冲群、浪涌抗扰度、电压波动、频率变化等。

检测范围

金属氧化物半导体场效应晶体管、互补金属氧化物半导体集成电路、动态随机存取存储器、闪存存储器、微处理器、数字信号处理器、模拟集成电路、功率半导体器件、传感器、光电器件、射频器件、微波器件、高压器件、低压器件、高温器件、低温器件、汽车电子器件、航空航天电子器件、消费电子器件、工业控制器件、通信设备器件、医疗电子器件等。

检测方法/标准

国际标准：

JESD22-A108、AEC-Q100-004、IEC 60749、ISO 16750-1、IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-3、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5、JESD22-A101、JESD22-A110、JESD22-A118、IEC 60068-2-1、IEC 60068-2-2、IEC 60068-2-14、IEC 60068-2-30、IEC 60068-2-38、IEC 60068-2-52、IEC 60068-2-64、IEC 60068-2-78等。

国家标准：

GB/T 4937.1、GB/T 4937.2、GB/T 4937.3、GB/T 2423.1、GB/T 2423.2、GB/T 2423.10、GB/T 17626.2、GB/T 17626.3、GB/T 17626.4、GB/T 17626.5、GB/T 2423.3、GB/T 2423.4、GB/T 2423.5、GB/T 2423.6、GB/T 2423.7、GB/T 2423.8、GB/T 2423.9、GB/T 2423.11、GB/T 2423.12、GB/T 2423.13、GB/T 2423.14、GB/T 2423.15、GB/T 2423.16、GB/T 2423.17、GB/T 2423.18、GB/T 2423.19、GB/T 2423.20、GB/T 2423.21、GB/T 2423.22、GB/T 2423.23、GB/T 2423.24、GB/T 2423.25、GB/T 2423.26、GB/T 2423.27、GB/T 2423.28、GB/T 2423.29、GB/T 2423.30等。

检测设备

1. 高精度半导体参数分析仪：用于测量击穿电压、漏电流、电容等电参数；高分辨率，可编程测试序列，多通道同步测量。

2. 恒温恒湿试验箱：提供可控的温度和湿度环境，进行加速老化测试；温度范围从零下40摄氏度至零上150摄氏度，湿度范围10%至98%。

3. 时间相关击穿测试系统：专门用于TDDB测试，施加恒定电压和温度应力，监测击穿时间；多通道并行测试，数据自动记录和分析。

4. 高电压源测量单元：生成高电压并测量电流，用于击穿测试；高压输出，精密测量，自动保护功能。

5. 温度控制平台：精确控制样品温度，进行温度加速测试；温度稳定性高，快速响应，可编程温度曲线。

6. 数据采集系统：记录测试过程中的电压、电流、温度等参数；多通道输入，实时监控，数据存储和导出。

7. 显微镜与成像系统：用于观察氧化层缺陷和击穿点；高放大倍数，数字图像处理，自动对焦功能。

8. 光谱分析仪：分析材料成分和界面特性；红外光谱，拉曼光谱，紫外可见光谱，高灵敏度检测。

9. 热成像仪：非接触测温，用于热分布分析；红外摄像头，温度灵敏度高，实时图像显示。

10. 环境试验箱：进行温度循环、湿度测试等环境适应性测试；可编程控制，多段式运行，数据记录功能。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.