质谱碳化硅检测

检测项目

1.主量元素与化学计量比分析：硅元素定量测定，碳元素定量测定，碳化硅化学计量比计算。

2.痕量金属杂质分析：碱金属及碱土金属含量，过渡金属杂质含量，重金属杂质含量。

3.掺杂元素分析：氮元素掺杂浓度，铝元素掺杂浓度，硼元素掺杂浓度，钒元素浓度。

4.表面与体材料污染物分析：钠钾钙镁等表面沾污，氟氯硫等非金属杂质，氧元素含量分析。

5.同位素丰度分析：硅同位素比率测定，碳同位素比率测定。

6.深度分布剖析：掺杂元素纵向浓度分布，杂质元素在薄膜中的深度分布。

7.颗粒物与添加剂分析：碳化硅研磨浆料中金属杂质，烧结助剂元素残留分析。

8.气体元素分析：氢元素含量，惰性气体元素包裹物分析。

9.高纯碳化硅评价：总杂质元素含量测定，特定有害杂质单项评价。

10.晶体缺陷关联分析：微管等缺陷处的杂质元素富集分析。

11.外延层质量测试：外延层中本底杂质浓度，外延层与衬底界面元素互扩散分析。

检测范围

碳化硅单晶衬底、碳化硅同质外延片、碳化硅晶锭、碳化硅抛光片、碳化硅晶棒、碳化硅粉末原料、碳化硅陶瓷烧结体、碳化硅涂层与薄膜、碳化硅研磨微粉、碳化硅纤维、碳化硅复合材料、碳化硅器件沟道层、碳化硅晶片退火样品、碳化硅气相沉积先驱体、回收碳化硅原料

检测设备

1.高分辨电感耦合等离子体质谱仪：用于测定碳化硅中ppt至ppb级别的超痕量金属杂质；具备极高的元素分辨率和检测灵敏度。

2.二次离子质谱仪：用于对碳化硅材料进行元素深度分布剖析和微区成像分析；可实现纳米级纵向分辨率。

3.辉光放电质谱仪：用于对碳化硅块体材料进行从表面到体相的元素定量分析；特别适用于高纯材料的全元素扫描。

4.电感耦合等离子体发射光谱仪：用于测定碳化硅中较高含量的掺杂元素及主要杂质；分析速度快，线性范围宽。

5.气体质谱分析仪：用于测定碳化硅晶体中氢氧氮等气体元素的含量；通常与高温加热提取系统联用。

6.同位素比质谱仪：用于精确测定碳化硅中硅和碳同位素的比率；研究晶体生长机理与原料溯源。

7.激光剥蚀电感耦合等离子体质谱系统：用于对碳化硅样品进行微区原位成分分析；可实现空间分辨的杂质分布 mapping。

8.热电离质谱仪：用于对碳化硅中特定痕量元素进行超高精度的同位素分析与定量；具备极低的检测背景。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.