检测项目
元素分析：
- 总硼含量：检测限0.01-5.0wt%，参照ASTME1019
- 同位素比值：10B/11B，偏差≤±0.5‰（IAEA标准）
- 表面富集度：SIMS深度剖析（分辨率0.1μm）
物相分析：
- 硼化物相组成：XRD定量分析（JCPDS卡片匹配）
- 晶界偏析：电子探针面扫描（5μm分辨率）
形态表征：
- 纳米析出相：TEM选区衍射（0.2nm点分辨率）
- 三维分布：APT原子探针断层扫描（原子级重构）
电化学检测：
- 阳极溶解行为：CV曲线扫描（扫速10mV/s）
- 局部腐蚀电流：SVET微区电化学测量（μA/cm²级）
热学性能：
- 熔点偏移：DSC测定（升温速率20K/min）
- 扩散系数：GITT恒电位间歇滴定（10-12m²/s量级）
辐照效应：
- 中子吸收截面：BNCT热中子束流测试（0.5eV-10keV能区）
- 位错密度：X射线双晶衍射（Bragg峰半高宽分析）
机械性能关联：
- 脆性转变温度：夏比冲击-温度曲线拟合（ASTME208）
- 疲劳裂纹扩展：SEM原位观察（ΔK阈值测定）
环境稳定性：
- 蒸汽氧化增重：TG-DTA联用（800-1200℃）
- 硼迁移速率：高温透氢实验（H/D同位素追踪）
工艺监控：
- 电镀液硼浓度：ICP-OES动态监测（±0.05g/L控制）
- 溅射靶材均匀性：GDMS深度剖析（μm级逐层分析）
安全防护：
- 粉尘释放量：密闭空间气溶胶采样（HEPA过滤效率≥99.97%）
- 放射性活度：HPGeγ能谱测定（12B特征峰477keV）
检测范围
1.核反应堆控制棒：硼硅玻璃包覆B4C芯块，检测中子吸收效率与辐照稳定性
2.高温超导磁体：Nb3Sn线材，监控硼杂质导致的临界电流密度衰减
3.半导体掺杂材料：硅基光伏片，分析硼扩散深度与载流子寿命关系
4.航空发动机叶片：NiCrAlY涂层，测试硼对界面氧化层生长动力学影响
5.超硬磨料制品：CBN砂轮结合剂，检测晶界非晶相中硼的配位状态
6.激光晶体材料：YAG:Nd3+，控制硼杂质引起的荧光淬灭效应
7.储氢合金：Mg2NiH4，分析硼掺杂对吸放氢平台压力的影响
8.生物医用材料：硼硅酸盐玻璃支架，监测降解过程中硼释放速率
9.薄膜晶体管：非晶硅栅极，检测硼掺杂均匀性导致的阈值电压漂移
10.超导量子器件：AlOx隧道结，分析硼污染引起的约瑟夫森结特性退化
检测方法
国际标准：
- ISOJianCe65:2021固体材料中硼的ICP-MS测定
- ASTME2998-15透射电子显微镜硼元素面分布分析
- IEC60748-18:2021半导体器件硼掺杂浓度二次离子质谱检测
国家标准：
- GB/T32844-2016真空电弧熔炼法制备硼标准样品
- GB/T43197-2022同步辐射X射线吸收精细结构分析
- GB/T20127.12-2021重金属基体中痕量硼的萃取-分光光度法
（国际标准侧重过程控制参数，国标强调样品制备规范。如ASTME2998要求样品厚度<100nm，GB/T43197规定同步辐射光源能量稳定性需优于0.1%）
检测设备
1.电感耦合等离子体质谱仪：Agilent8900ICP-MS（四级杆质量分析器，检测限0.002ppb）
2.场发射二次离子质谱仪：CamecaIMS-7f（O-一次离子源，质量分辨率＞8000）
3.同步辐射X射线荧光光谱仪：BL15U1线站（光子能量8-12keV可调，微聚焦光斑＜2μm）
4.原子探针层析成像系统：LEAP5000XR（激光脉冲蒸发模式，重建体积50×50×100nm³）
5.高分辨透射电子显微镜：FEITalosF200X（球差校正器，EDS能谱分辨率133eV）
6.热电离质谱仪：ThermoFinniganTritonPlus（Re带发射源，10B/11B测量精度±0.02‰）
7.微区X射线吸收近边结构谱仪：SPring-8BL01B1（荧光产额检测模式，能量步长0.1eV）
8.高温热裂解-ICP-OES联用系统：ElementarvarioELcube（裂解温度1800℃，检测通道数16）
9.中子活化分析装置：TRIGAMarkII反应堆（热中子通量1×1013n/cm²/s）
10.激光诱导击穿光谱系统：AppliedSpectraJ200C（Nd:YAG激光，波长1064nm，分辨率0.01nm）
11.电化学工作站：VSP-300（阻抗频率范围10μHz-1MHz，电流分辨率0.1pA）
12.气体渗透质谱仪：HidenHPR-20（四极杆检测器，H2检测限10ppm）
13.X射线应力测定仪：ProtoiXRD（sin²ψ法，角度范围20°-160°）
14.热膨胀仪：NETZSCHDIL402PC（加热速率0.01-50K/min，分辨率0.1nm）
15.激光共聚焦显微拉曼：HoribaLabRAMHREvolution（532nm激光，光谱分辨率
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作，并获得众多好评；
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领；
3、坚持科学发展道路，统筹实验建设与技术人才培养共同发展；
4、学习贯彻人大精神，努力发展自身科技实力。
您好，欢迎访问北京中科光学科学技术研究所官网！
荣誉资质
研究院地址
中文
