检测项目
三溴化镓纯度测定:主成分含量定量分析
理化性质检测:熔点、沸点、密度等物化参数测定
杂质元素分析:铁、铝、锌等金属杂质检测(≤50ppm)
溴离子残留量测定:游离Br⁻含量控制(≤0.1%)
晶体结构表征:X射线衍射(XRD)晶型分析
检测范围
| 应用领域 | 检测重点 | 标准要求 |
| 半导体材料制备 | 超纯级检测(≥99.999%) | ASTM F1525 |
| 有机合成催化剂 | 催化活性相关参数 | ISO 21614 |
| 光电材料开发 | 晶体缺陷分析 | JIS K0115 |
| 医药中间体 | 生物毒性物质筛查 | EP 10.0 |
检测方法
电感耦合等离子体光谱法(ICP-OES)
检测限达0.01ppm,采用径向观测模式,优化RF功率1.5kW,雾化气流速0.7L/min,适用于多元素同步检测。
库仑滴定法
通过Br⁻电化学氧化测定,使用铂网电极,支持0.1mg级微量检测,相对标准偏差≤0.5%。
X射线荧光光谱(XRF)
仪器参数设置:
靶材:Rh靶
管压:50kV
管流:50mA
积分时间:30s
检测仪器
Agilent 5110 ICP-OES
Rigaku SmartLab X射线衍射仪
Metrohm 905 Titrando
PerkinElmer TGA 8000
注:所有检测须在ISO/IEC 17025认证的实验环境下进行,温湿度控制范围:22±1℃,45±5%RH
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。