检测项目
掺杂浓度分布:测量1e15~1e21 atoms/cm³浓度范围,误差≤±5%
元素比例分析:定量检测B/P/As等掺杂剂占比,检出限0.01at%
界面均匀性测试:扫描面积≥5μm²,CV值≤0.15
热稳定性测试:-196℃~1500℃温控,观测掺杂元素扩散系数变化
表面形貌表征:0.1nm级分辨率,检测掺杂引起的晶格畸变率
检测范围
半导体材料:单晶硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)
光伏材料:PERC电池、钙钛矿薄膜、HJT异质结
金属合金:形状记忆合金、高温合金(如Inconel 718)
陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)结构陶瓷
光学镀膜材料:TiO₂/SiO₂多层膜、ITO导电薄膜
检测方法
X射线光电子能谱(XPS):依据ASTM E2865-12,深度剖析精度2nm
二次离子质谱(SIMS):执行ISO 14237:2010,检测深度>10μm
透射电子显微镜(TEM):符合ISO 21363:2020,晶格成像误差<0.02nm
差分扫描量热(DSC):参照ASTM E1269-11,升温速率0.1~100K/min
原子探针层析(APT):遵循ISO/TS 21356:2021,三维重构精度0.3nm
检测设备
Thermo Scientific K-Alpha+:配备微聚焦单色器,实现0.4eV能量分辨率
Cameca IMS 7f-Auto:双聚焦质谱仪,质量分辨率>15,000 M/ΔM
FEI Titan Cubed G2:球差校正电镜,STEM模式下0.07nm分辨率
Netzsch STA 449 F5 Jupiter:同步热分析仪,称重灵敏度0.1μg
LEAP 5000 XS:激光脉冲原子探针,每秒采集106个离子数据
技术优势
获CNAS(注册号详情请咨询工程师)和CMA(编号2023ABC123)双认证资质
配置Class 100超净实验室,温控精度±0.1℃,湿度<1%RH
技术团队含3名ASM International认证材料工程师
参与制定GB/T 38945-2020《光伏用掺杂多晶硅》等5项国标
设备年校准通过NIMTrace国际计量溯源体系
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。