偏置测试

检测项目

静态偏置电压测试：DC 0-1000V，精度±0.05%

动态偏置电流分析：脉冲宽度10ns-10ms，峰值电流200A

温度偏置漂移：-65℃~+150℃，温控精度±0.5℃

时间相关介质击穿：电压斜率0.1-100V/s，截止电流1μA

偏置应力寿命试验：持续加载时长1000h，采样间隔10min

检测范围

半导体晶圆：硅基/化合物半导体材料

电子元器件：MOSFET/IGBT功率器件

光学材料：LED芯片/激光二极管

金属电极材料：铜/银/金键合线

高分子绝缘材料：聚酰亚胺/环氧树脂

检测方法

ASTM F1241：半导体器件电压偏置测试规范

ISO 16750-4：道路车辆电气负荷试验标准

GB/T 2423.22：电工电子产品温度偏置试验方法

IEC 60749-25：半导体器件机械应力试验

GB 4937：半导体器件稳态寿命试验通则

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：最大电压3000V，电流测量分辨率1pA

Thermotron SM-32温度试验箱：温变速率15℃/min，容积1.2m³

Tektronix AFG31000函数发生器：输出频率50MHz，上升时间<5ns

FLIR A700红外热像仪：热灵敏度30mK，空间分辨率1.1mrad

Agilent 4156C精密半导体参数分析仪：最小电压分辨率10μV

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.