漂移电流检测

检测项目

静态漂移电流：测量范围1nA-10mA，分辨率≤0.1pA

动态响应时间：记录0.1μs-10s区间的电流波动

温度稳定性：-70℃~300℃温变条件下的电流偏移量

电压依赖性：0-1000V偏压范围内的漏电流变化率

时间衰减特性：持续72小时监测电流衰减曲线

检测范围

半导体器件：SiC/GaN功率模块、IGBT晶圆

储能装置：锂离子电池隔膜、固态电解质

光伏组件：PERC/HJT太阳能电池片

高温超导材料：YBCO涂层导体

医疗电子：植入式电极材料

检测方法

ASTM F1249：半导体器件静态电流测试规程

IEC 62660-3：储能电池长期漂移测试标准

ISO 18562-4：医疗电子材料漏电流测试

GB/T 30425：光伏组件温度循环测试规范

GB 4943.1：信息技术设备安全通用要求

检测设备

Keysight B1500A半导体分析仪：支持1fA分辨率，10ms高速采样

Chroma 17011电池测试系统：-40℃~85℃温控充放电检测

Agilent 4339B高阻计：10^3~10^16Ω阻抗测量

ESPEC T-12环境试验箱：±0.5℃温控精度

Keithley 2450源表：1000V高压源与pA级电流检测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.