耗尽层检测

检测项目

耗尽层厚度：测量范围10nm-5μm，精度±0.5nm

载流子浓度：检测范围1×10¹⁴-1×10¹⁹ cm⁻³

界面电势分布：电压分辨率0.1mV，空间分辨率50nm

界面态密度：检测下限1×10¹⁰ cm⁻²·eV⁻¹

漏电流特性：测量范围1pA-100mA，温度范围77-500K

检测范围

硅基半导体材料：单晶硅、多晶硅、SOI晶圆

III-V族化合物：GaAs、GaN、InP等外延片

光伏材料：CIGS、CdTe薄膜太阳能电池

电子器件：MOSFET、IGBT、HEMT器件

光学器件：LED外延结构、光电探测器

检测方法

电容-电压法（C-V）：ASTM F1392、GB/T 18904.3

深能级瞬态谱（DLTS）：IEC 62805-2、SJ 21454

扫描开尔文探针：ISO 14707、GB/T 35031

椭圆偏振光谱：ASTM F1523、JJG 976

二次离子质谱（SIMS）：ISO 18114、GB/T 32281

检测设备

椭圆偏振仪：J.A. Woollam M-2000，支持0.7-6.5eV光谱分析

霍尔效应测试仪：Lake Shore 8404，磁场强度0-2T，温度控制±0.1K

半导体参数分析仪：Keysight B1500A，支持IV/CV/脉冲测试

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，开尔文探针模块灵敏度10μV

高分辨XPS系统：Thermo Scientific K-Alpha+，空间分辨率<3μm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.