化合物半导体探器检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围110~110⁹cm⁻，精度3%

2.迁移率测试：温度范围77-500K，分辨率0.1cm/(Vs)

3.缺陷密度分析：采用DLTS技术检测10~10⁶cm⁻缺陷浓度

4.热导率测定：温度梯度法测量0.1-500W/(mK)

5.击穿电压测试：直流电压范围0-10kV，漏电流分辨率1nA

检测范围

1.III-V族化合物：GaAs单晶片、InP外延层

2.宽禁带半导体：4H-SiC衬底、GaN-on-SiC异质结

3.光电探测器：雪崩光电二极管(APD)、PIN探测器

4.微波器件：HEMT晶体管、MMIC集成电路

5.辐射探测器：CdZnTe晶体、HgCdTe红外探测器

检测方法

ASTMF76:霍尔效应载流子浓度标准测试方法

ISO20203:X射线衍射法测定晶格常数

GB/T14868-2009:半导体材料电阻率测试规范

IEC60749-25:功率循环热阻测试标准

JESD22-A108E:高温高湿加速寿命试验方法

检测设备

Keithley4200A-SCS:精密半导体参数分析系统

BrukerD8Discover:高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)

AgilentB1500A:功率器件分析仪（支持10kV/100A测试）

ThermoFisherESCALABXi+:X射线光电子能谱(XPS)分析系统

OxfordInstrumentsMicrostatHe:低温霍尔效应测量系统（4K-475K）

HitachiSU9000:场发射扫描电镜（分辨率0.4nm）

LinseisLFA1000:激光闪射法热导率测试仪

KeysightN6705C:精密直流电源分析模块

AdvantestQ6360:傅里叶变换红外光谱仪（波长范围0.8-25μm）

SUSSMicroTecProbeStation:全自动探针台（支持300mm晶圆测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.