超位错检测

检测项目

位错密度检测：测量范围10⁴-10¹² cm^-2，误差±5%

位错类型鉴别：区分刃型、螺型及混合位错，分析占比精度≥98%

位错分布均匀性：采用径向分布函数测试，空间分辨率≤50nm

滑移系统激活分析：识别{111}<110>等滑移系，取向偏差≤2°

位错网络形态表征：测量节点间距0.1-10μm，拓扑结构解析度达原子级别

检测范围

高温合金：镍基单晶合金、钴基耐热合金

半导体材料：硅单晶、GaN外延层、碳化硅衬底

金属基复合材料：Al-SiC、TiB₂/Al

陶瓷材料：氧化铝结构陶瓷、氮化硅功能陶瓷

钛合金：TC4、TB8等航空航天用合金

检测方法

透射电子显微术（TEM）：ASTM E112-13，GB/T 23414-2009，分辨率0.1nm

X射线衍射法（XRD）：ISO 22278:2020，GB/T 8362-2019，角度分辨率0.001°

电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627-13，GB/T 28872-2012，步长10-100nm

同步辐射拓扑成像：ISO/TR 10993-22:2017，空间分辨率50nm

原子探针层析技术（APT）：ISO 21368:2020，质量分辨率m/Δm≥2000

检测设备

场发射透射电镜：JEOL JEM-F200，配备Gatan OneView相机，可实现原子级位错成像

X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，配置LYNXEYE XE-T探测器，角度重复性±0.0001°

扫描电镜-EBSD系统：Thermo Scientific Apreo 2，搭配TSL OIM Analysis 8.0软件

聚焦离子束系统：FEI Helios G4 UX，集成OmniProbe纳米操纵器，定位精度±5nm

激光共聚焦显微镜：Olympus LEXT OLS5000，Z轴分辨率0.01nm，3D重构位错网络

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.