晶粒边界面检测

检测项目

晶界取向差分析（角度范围：0-180°，分辨率≤0.1°）

晶界析出相分布（尺寸范围：0.1-10μm，面积占比≤30%）

界面能测定（能量密度：0.1-5 J/m²）

晶界迁移率测试（温度范围：25-1200℃，迁移速率≤10⁻⁶ m/s）

界面缺陷密度统计（位错密度：10⁶-10¹² m⁻²）

检测范围

金属合金：铝合金（AA2000/7000系列）、钛合金（Ti-6Al-4V）

陶瓷材料：氧化锆（YSZ）、碳化硅（SiC）

半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）

高温合金：镍基超合金（Inconel 718）

复合材料：碳纤维增强聚合物（CFRP）

检测方法

电子背散射衍射（EBSD）：ASTM E2627, ISO 24173

透射电子显微镜（TEM）：GB/T 23414-2009, ISO 25498:2018

原子探针层析技术（APT）：ASTM E2859, GB/T 38221-2019

聚焦离子束-扫描电镜联用（FIB-SEM）：ISO 21363:2020

同步辐射X射线衍射（SR-XRD）：GB/T 36084-2018, ISO 22278:2020

检测设备

扫描电子显微镜：FEI Nova NanoSEM 450（分辨率1nm@15kV）

电子背散射衍射仪：Oxford Instruments Symmetry S2（角度分辨率0.05°）

透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM300F（球差校正型, 点分辨率0.08nm）

原子探针层析系统：CAMECA LEAP 5000XR（质量分辨率m/Δm≥2000）

同步辐射线站：上海光源BL14B1-XRD（能量范围5-20keV）

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.