存储器寄存器检测

检测项目

存取时间：测量地址输入到数据输出的延迟（0.1ns~50ns），精度±0.05ns

静态功耗：待机状态下电流值（0.1μA~10mA），温控范围-40℃~125℃

动态功耗：读写操作时峰值电流（1mA~500mA），频率覆盖1MHz~2GHz

数据保持时间：断电后数据保留时长（1ms~10年），温度偏差±0.5℃

抗干扰能力：注入噪声幅度（10mV~2V），频率范围100kHz~1GHz

检测范围

SRAM（静态随机存储器）：高速缓存芯片、FPGA配置存储器

DRAM（动态随机存储器）：计算机内存条、图形显存模块

Flash存储器：NAND/NOR闪存芯片、eMMC嵌入式存储

EEPROM（电可擦写存储器）：MCU内置存储单元、IC卡芯片

新型存储器：RRAM阻变存储器、MRAM磁阻存储器

检测方法

国际标准：ASTM F1249-20（热特性测试）、ISO 11429:2021（ESD抗扰度）

国家标准：GB/T 26248-2010（半导体存储测试通则）、GB 4943.1-2022（安全规范）

时序分析：JEDEC JESD79-4F（DDR4测试协议）、IEEE 1625-2008（移动设备存储标准）

可靠性测试：MIL-STD-883K Method 1033（高温反偏试验）、IEC 60749-25:2021（湿热循环）

信号完整性：TIA/EIA-899-A（差分信号测试）、IPC-6012E（PCB互连验证）

检测设备

Keysight B1500A半导体参数分析仪：支持IV/CV曲线测量，分辨率0.1fA

Tektronix DPO73304SX示波器：70GHz带宽，支持DDR5眼图分析

Advantest T2000测试系统：并行测试256通道，吞吐量500Mbps/通道

ThermoStream T-2900温控箱：温度转换速率60℃/秒，精度±0.3℃

Chroma 33612电源模拟器：输出噪声＜10mVpp，瞬态响应＜20μs

R&S FSW85信号分析仪：85GHz频率范围，相位噪声-140dBc/Hz@10kHz

NI PXIe-4139源测量单元：7½位分辨率，最大电压200V

ESPEC SH-261恒温恒湿箱：湿度控制范围10%~98%RH，波动±1%RH

Hirose FX100探针台：支持12英寸晶圆测试，定位精度±1μm

EMTEST UCS500N静电发生器：接触放电30kV，空气放电50kV

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.