全位错检测

检测项目

1.位错密度测量：采用线截距法或电子背散射衍射（EBSD）技术，测量范围10~10⁰cm⁻
2.位错分布形态表征：通过透射电镜（TEM）观测滑移带/位错缠结形貌
3.位错类型鉴定：Burgers矢量分析（1/2<110>型等），误差≤0.02nm
4.动态位错行为监测：原位拉伸台配合高速相机（≥5000fps）记录滑移过程
5.位错-晶界交互作用：纳米压痕法测定影响深度（0.1-5μm），载荷分辨率0.1μN

检测范围

1.金属结构材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel718）
2.半导体单晶材料：硅晶片（<100>/<111>取向）、GaN外延层
3.陶瓷基复合材料：碳化硅纤维增强SiC基体（SiC/SiC）
4.高分子结晶材料：超高分子量聚乙烯（UHMWPE）球晶结构
5.纳米功能材料：铜纳米线（直径50-200nm）、二维过渡金属硫化物（MoS₂/WSe₂）

检测方法

1.ASTME3-11(2023)金相试样制备标准（电解抛光参数控制）
2.ISO22278-2020透射电子显微镜法位错分析规程
3.GB/T39498-2020电子背散射衍射技术通则（步长50nm~1μm）
4.ASTME3061-17原位力学测试与显微观察协同规范
5.GB/T4161-2007金属材料平面应变断裂韧度试验（裂纹尖端位错观测）
6.ISO24173:2019电子通道衬度成像技术指南（加速电压15-30kV）

检测设备

1.FEITecnaiG2F30透射电镜：300kV场发射枪，点分辨率0.19nm
2.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：CuKα辐射（λ=0.15406nm），角度重复性0.0001
3.ZeissCrossbeam550聚焦离子束系统：30kVGa离子束，定位精度5nm
4.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器：全花样采集速率3000pps
5.HysitronTIPremier纳米压痕仪：最大载荷30mN，位移分辨率0.02nm
6.GatanOneViewCMOS相机：40964096像素，读出速度25fps@全分辨率
7.Kammrath&Weiss原位拉伸台：最大载荷5kN，温度范围-150~350℃
8.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：信息极限70pm，STEM-HAADF成像
9.ShimadzuEBSD-7000系统：PatternCenter自动校准功能
10.ZEISSLSM900激光共聚焦显微镜：405nm激光波长，横向分辨率120nm

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.