漂移电场检测

检测项目

1.表面电位分布：测量范围20kV，分辨率1V
2.电场强度梯度：精度0.5kV/m（0-100kV/m量程）
3.电荷衰减特性：时间常数τ测量（0.1s-1000s）
4.空间电荷密度：最小检出限510C/m
5.动态响应特性：上升时间≤10ns（脉冲电场测试）

检测范围

1.半导体材料：硅晶圆、GaN基板、碳化硅晶片
2.高分子绝缘材料：聚乙烯(PE)、聚四氟乙烯(PTFE)、环氧树脂
3.功能性薄膜：ITO导电膜、PVDF压电膜、光学镀膜
4.电子元器件：MLCC电容器、功率模块封装体、PCB基板
5.特种涂层：防静电涂料、航天器热控涂层、核级防护涂层

检测方法

1.非接触式电场探头法：ASTMD4470/ISO3915标准
2.热脉冲法空间电荷测量：IEC62824/GB/T17627.1
3.表面电位衰减法：GB/T31838.2-2019
4.电声脉冲法(PEA)：JISC2138:2018标准
5.激光诱导压力波法(LIPP)：IEEEStd930-2004

检测设备

1.TrekModel347静电计：表面电位测量（DC-100kHz）
2.Keithley6517B高阻计：10aA级微弱电流检测
3.IsoprobeIPM-12非接触式电位仪：空间分辨率0.05mm
4.PolyKtechTS1500热刺激电流系统：温度扫描范围-170~400℃
5.HaefelyHipotronicsCE3000脉冲发生器：30kV/100ns脉冲输出
6.AgilentB1505A功率器件分析仪：nC级电荷量测量
7.OmicronBode100频响分析仪：10μHz-50MHz阻抗测试
8.TREKModelP0863高压放大器：10kV/20mA输出能力
9.KeysightU5856A红外热像仪：6464像素热分布同步监测
10.FEMTOHCA-400M跨阻放大器：110⁸V/A转换增益

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.