晶体提拉法检测

检测项目

1.位错密度检测：采用腐蚀坑法或X射线形貌术测定（<10^3cm⁻至>10^6cm⁻）
2.晶格常数测定：X射线衍射法测量精度0.0001nm
3.氧含量分析：傅里叶红外光谱法（FTIR）检测范围0.1-20ppma
4.电阻率分布：四探针法测试（0.001-100Ωcm）
5.光学均匀性：干涉仪测量波前畸变＜λ/4@632.8nm

检测范围

1.半导体单晶材料：硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)
2.激光晶体：掺钕钇铝石榴石(Nd:YAG)、钛宝石(Ti:Al₂O₃)
3.光学晶体：氟化钙(CaF₂)、蓝宝石(Al₂O₃)
4.超导材料：铋系(BSCCO)、钇钡铜氧(YBCO)
5.闪烁晶体：锗酸铋(BGO)、碘化铯(CsI)

检测方法

1.ASTMF47-2018半导体单晶位错密度测试标准
2.ISO14707:2015辉光放电质谱成分分析规程
3.GB/T1554-2018硅单晶中氧含量红外吸收测量方法
4.JISH0605-2013晶体定向X射线衍射测试规范
5.GB/T13389-2017锗单晶电阻率直流四探针法

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪：晶格常数/取向分析
2.BrukerVertex80v傅里叶红外光谱仪：杂质元素定量
3.KLASurfscan6220缺陷检测系统：表面位错密度统计
4.Agilent5500原子力显微镜：纳米级表面形貌表征
5.OlympusEPMA-8050G电子探针：微区成分分析
6.ZygoVerifire干涉仪：光学均匀性测试
7.Keithley4200A-SCS参数分析仪：电学性能测试
8.LeicaDM8000M金相显微镜：腐蚀坑观测系统
9.ThermoScientificiCAPRQICP-MS：痕量杂质检测
10.FourDimensions4D-300四探针台：电阻率分布测绘

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.