重掺杂半导体检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围110⁸~510⁰cm⁻，精度3%

2.霍尔迁移率：测试条件300K~500K温区，分辨率0.1cm/(Vs)

3.薄层电阻：四探针法测量范围1~500Ω/sq

4.掺杂均匀性：微区扫描分辨率≤10μm

5.缺陷密度：腐蚀坑密度(EPD)≤110⁴cm⁻

检测范围

1.硅基重掺杂材料（n+/p+型单晶硅）

2.砷化镓(GaAs)高浓度掺杂外延片

3.碳化硅(SiC)功率器件掺杂层

4.磷化铟(InP)光电器件接触层

5.氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜

检测方法

ASTMF723-2018半导体材料薄层电阻四探针测试规范

ISO14707:2015辉光放电质谱法测定掺杂元素浓度

GB/T1550-2018半导体材料导电类型测试方法

GB/T14144-2021硅单晶中氧碳含量测定方法

JISH0605-2019霍尔效应半导体材料测试规程

检测设备

KEITHLEY2450SourceMeter：四探针法薄层电阻测量系统

LakeShore8400系列霍尔效应测试仪：支持0.5T~1.5T磁场强度

TencorP-16+表面轮廓仪：台阶高度测量精度0.1nm

ThermoScientificiCAPRQICP-MS：元素掺杂浓度分析精度ppb级

BrukerD8ADVANCEXRD：晶体结构分析角度重复性0.0001

Agilent5500AFM：导电原子力显微镜扫描模式分辨率1nm

SemiProbeSRP-450：扩展电阻探针载流子分布测试系统

OxfordInstrumentsPlasmaPro100：GD-OES辉光放电光谱仪

NanometricsNanoSpec6100：膜厚测量重复性0.1

CascadeSummit12000探针台：支持200mm晶圆级测试

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.