二极管逻辑检测

检测项目

1.正向电压（VF）：测试电流1mA-1A范围内压降值（0.5-1.2V）
2.反向击穿电压（VRRM）：施加反向电压至器件失效临界点（50-2000V）
3.反向漏电流（IR）：额定反向电压下的泄漏电流（≤10μA）
4.结电容（Cj）：高频特性测试（0.1-100pF）
5.开关时间（trr）：反向恢复时间测量（ns级至μs级）

检测范围

1.硅基整流二极管（1N4007系列）
2.锗材料检波二极管（1N60系列）
3.肖特基势垒二极管（BAT54系列）
4.快恢复二极管（FR307系列）
5.TVS瞬态抑制二极管（P6KE系列）

检测方法

1.正向特性测试：GB/T4023-2015《半导体器件分立器件规范》
2.反向耐压测试：IEC60747-1:2006《半导体器件通用要求》
3.动态参数测量：ASTMF1248-16《半导体开关特性测试》
4.热特性测试：GB/T4937-2018《半导体器件机械和气候试验方法》
5.ESD抗扰度测试：ISO10605:2008《道路车辆静电放电试验》

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪：IV特性曲线扫描
2.TektronixDMM4040数字万用表：基础参数测量
3.Chroma19032耐压测试仪：AC/DC击穿电压测试
4.Agilent4284ALCR表：结电容精密测量
5.LeCroyHDO6034示波器：ns级瞬态响应捕捉
6.ThermoStreamT-2600温控系统：-65℃~+200℃环境模拟
7.EMTESTDITO6100静电发生器：30kVESD测试
8.FLIRA655sc红外热像仪：工作温升分布监测
9.ESPECPL-3K光照老化箱：光敏器件加速老化试验
10.AdvantestU3411E电荷捕捉分析仪：漏电流长期稳定性监测

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.