阴极激发光检测

检测项目

1.发光强度分析：测量波长范围200-1000nm，灵敏度≥0.1nW/cm
2.光谱分辨率测试：最小分辨带宽≤0.5nm（@500nm）
3.衰减时间测定：时间分辨率10ps-10ms
4.空间分辨率校准：电子束斑直径≤10nm（@30kV）
5.量子效率计算：基于单光子计数法误差率＜3%

检测范围

1.III-V族半导体材料：GaN、InP等外延片缺陷表征
2.稀土掺杂荧光材料：YAG:Ce⁺、SrAl₂O₄:Eu⁺晶格缺陷分析
3.宽禁带陶瓷材料：Al₂O₃、SiC的位错密度测试
4.地质矿物样品：石英流体包裹体CL响应谱测定
5.光伏薄膜材料：CIGS吸收层界面复合中心定位

检测方法

1.ASTMF617-19：半导体CL强度与缺陷密度关联测试规程
2.ISO18516:2017：空间分辨率校准的刀口扫描法
3.GB/T18968-2020：无机非金属材料CL光谱采集规范
4.GB/T39144-2020：纳米材料阴极发光成像技术要求
5.ISO20263:2017：微区CL定量分析的能谱校正方法

检测设备

1.HoribaDuettaCL成像系统：集成高透射率单色仪（1200gr/mm光栅）
2.OxfordInstrumentsMonoCL4：配备液氮冷却PMT探测器（185-850nm）
3.JEOLJCL-6100：场发射扫描电镜专用CL附件（束流0.1pA-200nA）
4.GatanVulcanPro：低温CL系统（工作温度10-300K）
5.AttolightRosa：亚微米级空间分辨率CL谱仪（XY平台定位精度50nm）
6.ZeissSmartCL：全自动光谱成像模块（波长重复性0.2nm）
7.DelmicSPARCCompact：高速光子计数型CL探测器（计数率＞10⁶cps）
8.TescanVega3CL：钨灯丝电镜集成系统（真空度≤510⁻Pa）
9.HitachiSU9000CL组件：配备四通道光谱分离装置
10.KimmonKohaHe-Cd激光联用系统：实现光致发光与CL同步对比分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.