检测项目
电容值:测量精度±0.5%(IEC 60384-1),范围1pF~100μF
介电常数:测试频率1kHz~1MHz(ASTM D150),误差<1%
损耗因数:tanδ测量范围0.0001~0.1(GB/T 2693),分辨率0.00001
绝缘电阻:直流电压100V(ISO 16750-2),阻值>10GΩ
耐压测试:交流/直流耐压强度0~3000V(IEC 60384-1),漏电流<1mA
温度系数:-55°C~125°C范围(EIA RS-198),容差±30ppm/°C
尺寸精度:长度/宽度公差±0.1mm(JIS C5102),高度±0.05mm
焊接性测试:润湿时间<2s(IPC J-STD-002),可焊面积>95%
机械强度:弯曲力测试0~50N(MIL-PRF-55681),失效阈值>10N
环境耐久性:温度循环-65°C~150°C(AEC-Q200),循环次数1000次
等效串联电阻:ESR测量频率100kHz(EIA-198-1-F),值<100mΩ
电压系数:施加电压0~200V(IEC 60384-8),容变率<5%
老化特性:高温存储125°C/1000h(GB/T 4937),电容漂移<10%
检测范围
X7R类陶瓷电容:温度稳定型,用于通用电路
Y5V类陶瓷电容:高容量型,适用消费电子
C0G/NP0类陶瓷电容:超低损耗型,用于射频应用
高电压MLCCs:额定电压>100V,用于电源模块
低ESR MLCCs:等效串联电阻<50mΩ,适用高频滤波
汽车级陶瓷电容:符合AEC-Q200标准,用于引擎控制单元
工业级陶瓷电容:工作温度-40°C~150°C,适用电机驱动
医疗设备用陶瓷电容:满足ISO 13485,用于植入式器械
航空航天陶瓷电容:MIL-STD-883兼容,用于卫星系统
表面贴装阵列电容:多端子结构,适用高密度PCB
引线型陶瓷电容:通孔安装式,用于传统电路板
超小型陶瓷电容:尺寸<1mm²,用于可穿戴设备
检测方法
LCR表测量法:依据IEC 60384-1测定电容值和损耗因数
介电频谱分析法:执行ASTM D150标准测试介电性能
高阻计测试法:采用GB/T 2693规范测量绝缘电阻
耐压试验法:符合ISO 16750-2进行交流/直流耐压测试
温度循环测试法:参照AEC-Q200执行-65°C~150°C循环
尺寸光学测量法:使用JIS C5102标准验证几何公差
焊接润湿平衡法:依据IPC J-STD-002测试可焊性
机械弯曲测试法:遵循MIL-PRF-55681进行强度验证
环境应力筛选法:按GB/T 4937实施高温老化试验
ESR分析仪法:基于EIA-198-1-F测量等效串联电阻
电压偏置测试法:符合IEC 60384-8测定电压系数
检测设备
PrecisionLCRModel4980A:频率范围20Hz~2MHz,支持电容/ESR测量
HighVoltageTesterModelHVT-5000:输出电压0~5kV,漏电流精度0.1mA
InsulationResistanceMeterModelIRM-100:量程1MΩ~10TΩ,符合ISO标准
ThermalChamberModelTC-200:温度范围-70°C~180°C,控制精度±0.5°C
OpticalMicroscopeModelOM-40X:放大倍数40X,尺寸分辨率0.001mm
SolderabilityTesterModelST-360:润湿力测量范围0~10mN,时间精度0.1s
MechanicalStrengthTesterModelMST-50:加载力0~100N,位移分辨率1μm
ESRAnalyzerModelESR-100kHz:频率100kHz,阻抗精度±1%
EnvironmentalTestSystemModelETS-1000:支持温度/湿度循环,符合AEC-Q200
DielectricAnalyzerModelDA-1MHz:介电常数测试,频率1MHz,误差<0.5%
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自改制以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。