检测项目
1.电光系数测量:通过施加外部电场并测量晶体折射率变化,量化电光效应强度,测试晶体在调制应用中的响应效率与线性度。
2.半波电压测试:确定使光波相位偏移180度所需电压值,表征晶体调制性能与能耗关系,为器件设计提供基础数据。
3.光学均匀性检测:利用干涉仪分析晶体内部折射率分布,识别不均匀区域,确保光束传输质量与最小波前畸变。
4.透过率与吸收光谱分析:测量晶体在特定波长范围内的光透过率和吸收特性,测试光学损耗与材料纯度影响。
5.表面缺陷检测:通过显微镜观察晶体表面划痕、麻点或污染,判定加工质量对光学性能的潜在风险。
6.电学性能测试:测试晶体的电阻率、介电常数和击穿电压,验证其在高压环境下的稳定性和安全性。
7.温度稳定性测试:在不同温度条件下监测电光参数变化,分析晶体热膨胀系数与性能衰减趋势。
8.频率响应特性分析:测量晶体对高频调制信号的响应带宽和相位延迟,确定适用频率范围与动态性能。
9.机械强度与硬度检测:使用硬度计测试晶体抗压和抗冲击能力,确保结构完整性在机械应力下的耐久性。
10.老化寿命与耐久性试验:模拟长期工作环境,检测电光性能随时间的变化,预测晶体使用寿命与可靠性。
检测范围
1.铌酸锂晶体:广泛应用于光调制器和开关器件,检测重点包括电光系数、半波电压和光学均匀性,确保高速调制应用中的性能一致性。
2.磷酸二氢钾晶体:主要用于激光频率转换和非线性光学,需测试透过率、吸收光谱和温度稳定性。
3.钽酸锂晶体:与铌酸锂类似但电光特性差异,检测项目需针对性覆盖折射率变化和机械强度。
4.硅基电光晶体:适用于集成光电子电路,检测光学均匀性与电学性能,验证与半导体工艺的兼容性。
5.有机电光晶体:新型材料具有高电光响应,测试重点为电光系数测量和老化寿命,测试其在柔性器件中的潜力。
6.薄膜电光晶体:用于波导和传感器,需检测厚度均匀性、表面缺陷和频率响应,确保低损耗传输。
7.掺杂电光晶体:如稀土元素掺杂,检测掺杂浓度对透过率和电光性能的影响,优化材料设计。
8.多晶电光材料:晶界可能影响性能,检测光学均匀性和电学参数,测试多晶结构对应用的限制。
9.高温电光晶体:适用于恶劣环境如航空航天,测试温度稳定性和机械强度,验证高温下的性能保持。
10.复合电光结构:如多层晶体组合,检测整体电光效应和层间耦合,确保复杂系统中的可靠性。
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检测标准
国际标准:
ISO 10110、ISO 9022、IEC 60749、IEC 60068、IEC 61000、ISO 4892、ISO 6508、ISO 2813、ISO 4628、ISO 1518
国家标准:
GB/T 16525、GB/T 2423、GB/T 17626、GB/T 13384、GB/T 191、GB/T 2828、GB/T 6739、GB/T 9274、GB/T 9286、GB/T 9754
检测设备
1.光谱仪:用于测量晶体的透过率和吸收光谱,分析光学性能与波长关系,提供定量数据支持材料筛选。
2.电光调制器测试系统:专门用于施加电场并测量折射率变化,测试电光系数和半波电压,确保调制器件的精度。
3.显微镜:观察晶体表面和内部微观结构,识别缺陷如裂纹或气泡,关联光学性能衰减原因。
4.干涉仪:检测光学均匀性和波前畸变,通过干涉图样分析折射率分布,优化晶体加工工艺。
5.高压电源:提供精确可控电压用于半波电压测试和电学性能测试,确保实验条件的一致性。
6.恒温箱:控制环境温度进行稳定性测试,监测电光参数随温度变化,测试环境适应性。
7.频率发生器:产生调制信号用于频率响应分析,确定晶体工作带宽和相位特性。
8.硬度计:测试晶体机械强度和抗划伤性能,验证在机械应力下的耐久性。
9.老化试验箱:模拟长期使用条件,加速性能老化过程,检测电光系数和透过率的衰减趋势。
10.轮廓仪:测量晶体表面形貌和粗糙度,关联参数与光学性能易感性,指导表面处理改进。
北京中科光析科学技术研究所【简称:中析研究所】
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作,并获得众多好评;
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领;
3、坚持科学发展道路,统筹实验建设与技术人才培养共同发展;
4、学习贯彻人大精神,努力发展自身科技实力。