检测项目
物理特性检测：
- 纯度分析：总金属杂质含量（≤1ppbw，参照SEMI MF1724）
- 粒径分布：D50粒径（200-3000μm，跨度≤1.2）
- 表观密度：堆积密度（0.8-1.2g/cm³）
化学成分检测： - 金属杂质：Fe、Cr、Ni、Cu等31元素（检出限≤0.01ppbw）
- 非金属杂质：氧含量（FTIR法≤0.3ppmw），碳含量（≤0.4ppmw）
- 掺杂元素：硼/磷浓度（0.1-100ppbw，GDMS法）
电学性能检测： - 电阻率：四探针法（0.001-100Ω·cm，ASTM F84）
- 少子寿命：微波光电导衰减（μ-PCD法≥500μs）
- 载流子浓度：霍尔效应测试（5E13-5E15cm⁻³）
晶体结构检测： - 晶向测定：X射线衍射（(100)/(111)取向±0.5°）
- 结晶度：摇摆曲线半高宽（≤0.1°）
- 缺陷密度：位错腐蚀坑计数（≤1000/cm²）
表面特性检测： - 表面粗糙度：AFM测试（Ra≤0.2nm）
- 金属污染：全反射X荧光（TXRF≤1E10 atoms/cm²）
- 氧化层厚度：椭偏仪测量（1-100nm精度±0.1nm）
力学性能检测： - 显微硬度：纳米压痕法（HV≥1000kgf/mm²）
- 抗弯强度：三点弯曲试验（≥150MPa）
- 断裂韧性：单边缺口梁法（KIC≥1.0MPa·m¹/²）
热学性能检测： - 热膨胀系数：膨胀仪法（2.6×10⁻⁶/K@300K）
- 比热容：DSC测量（0.7J/g·K@25℃）
- 导热系数：激光闪射法（≥150W/m·K）
光学性能检测： - 反射率：分光光度计（250-1200nm波段≤35%）
- 吸收系数：光热偏移法（@1064nm≤0.01cm⁻¹）
- 雾度值：积分球系统（≤0.5%）
包装质量检测： - 颗粒完整性：破碎率（≤0.1%）
- 粉尘含量：称重法（≤50mg/kg）
- 真空度：氦质谱检漏（≤1E-3Pa·m³/s）
可靠性测试： - PID衰减：85℃/85%RH条件下（功率衰减≤3%）
- 热循环测试：-40℃至85℃循环200次（电阻率变化±5%）
- 湿氧老化：1000小时85/85试验（金属析出≤0.01μg/cm²）
检测范围
1. 冶金级硅料： 检测重点为铁铝钙杂质总量（≤0.5wt%）及颗粒粒度分布控制
2. 太阳能级多晶硅： 侧重硼磷浓度梯度（纵向偏差≤10%）及氧碳含量分布
3. 单晶硅棒： 核心检测电阻率均匀性（轴向波动≤8%）及位错密度
4. 硅片产品： 聚焦表面金属污染（Na≤5E9 atoms/cm²）及TTV厚度差（≤10μm）
5. 电子级硅烷： 痕量杂质检测（AsH₃≤0.1ppb，PH₃≤0.05ppb）
6. 硅溶胶： 检测粒径分布（D50=20±5nm）及钠离子浓度（≤0.1ppm）
7. 切割硅料： 关键控制金刚石线残留（≤0.01mg/g）及微裂纹深度（≤5μm）
8. 废旧硅料回收料： 重点检测重金属污染（Pb≤1ppm）及有机溶剂残留
9. 高纯石英砂： 核心指标包括铝含量（≤30ppm）及气液包裹体密度
10. 纳米硅粉： 侧重比表面积（>50m²/g）及氧化层厚度（≤2nm）检测
检测方法
国际标准：
- ASTM F1724-18 多晶硅中杂质含量的GDMS检测
- SEMI MF1391-20 硅片中载流子复合寿命测试
- ISO 14707:2021 辉光放电光谱表面分析
- IEC 60904-13:2022 硅片载流子浓度空间分布测试
- DIN 50441-1:2020 半导体材料电阻率测定
国家标准： - GB/T 24581-2022 低温FTIR法测定硅中氧碳含量
- GB/T 40514-2021 硅片表面金属污染的TXRF测量
- GB/T 35097-2023 微电子用硅烷气体杂质检测
- GB/T 26071-2022 太阳能级硅片弯曲度测试
- GB/T 1550-2018 半导体材料导电类型判定（热探针法差异：ASTM用四点探针）
检测设备
1. 辉光放电质谱仪： Nu Plasma III型（质量分辨率>8000，检出限0.001pptw）
2. 低温傅里叶红外光谱仪： Bruker VERTEX 80v（波数精度0.01cm⁻¹，液氮冷却至10K）
3. 四探针电阻率测试仪： Kyence RCP-HS100（量程0.001-300Ω·cm，精度±2%）
4. 微波光电导衰减仪： Semilab WT-2000（寿命测量范围0.1-10000μs）
5. 高分辨X射线衍射仪： Rigaku SmartLab SE（角度分辨率0.0001°）
6. 原子力显微镜： Bruker Dimension Icon（分辨率0.1nm，扫描范围90μm）
7. 纳米压痕仪： Keysight G200（载荷分辨率50nN，深度分辨率0.01nm）
8. 激光粒度分析仪： Malvern Mastersizer 3000（量程0.01-3500μm）
9. 热膨胀系数测定仪： Netzsch DIL 402 Expedis（温度范围-170-1550℃，分辨率0.125nm）
10. 全反射X荧光光谱仪： Rigaku NEX CG II（检出限1E8 atoms/cm²，入射角0.35°）
11. 电感耦合等离子体质谱仪： Agilent 8900（检出限0.01ppt，线性范围9个数量级）
12. 低温霍尔效应系统： Lakeshore CRX-VF（温度范围4-400K，磁场1.5Tesla）
13. 紫外可见分光光度计： PerkinElmer Lambda 1050+（波长范围175-3300nm，分辨率0.05nm）
14. 扫描电子显微镜： Zeiss GeminiSEM 500（分辨率0.8nm@15kV，EDS检测限0.1wt%）
15. 自动颗粒计数器： PSS AccuSizer 780 APS（粒径检测范围0.5-400μm，计数速率10000/s）
北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】
报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期：7~15工作日，可加急。
资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试：支持定制化试验方案。
售后：报告终身可查，工程师1v1服务。
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.
合作客户(部分)
1、自创办以来和政、企、军多方多次合作，并获得众多好评；
2、始终以"助力科学进步、推动社会发展"作为研究院纲领；
3、坚持科学发展道路，统筹实验建设与技术人才培养共同发展；
4、学习贯彻人大精神，努力发展自身科技实力。
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