多晶硅铸锭质量分析

检测项目

1. 晶体结构测试：晶粒尺寸、晶界分布、位错密度、孪晶结构、晶体取向、晶格常数、相组成、纹理系数、亚晶界、晶格畸变等。

2. 电性能测试：电阻率、载流子浓度、少子寿命、迁移率、霍尔系数、光电转换效率、串联电阻、并联电阻、漏电流、击穿电压等。

3. 化学成分分析：硅含量、氧含量、碳含量、金属杂质、掺杂元素、总杂质浓度、纯度等级、气体含量、氢含量、氮含量等。

4. 机械性能测试：抗弯强度、硬度、断裂韧性、弹性模量、泊松比、蠕变性能、疲劳寿命、尺寸稳定性、冲击强度等。

5. 热性能测试：热导率、比热容、热膨胀系数、熔点、热稳定性、热循环性能、热冲击抗力、热扩散系数等。

6. 尺寸精度测试：长度、宽度、厚度、直径、平面度、平行度、垂直度、圆度、表面粗糙度、公差范围等。

7. 表面质量测试：表面缺陷、划痕、凹坑、污染、氧化层、清洁度、光泽度、颜色均匀性、纹理一致性等。

8. 杂质含量测试：铁含量、铜含量、铝含量、钙含量、钠含量、钾含量、磷含量、硼含量、砷含量、镁含量等。

9. 光学性能测试：反射率、透射率、吸收系数、折射率、消光系数、光谱响应、量子效率、颜色指数等。

10. 寿命测试：衰减率、老化性能、耐久性、循环寿命、存储寿命、失效分析、可靠性测试、性能退化等。

11. 一致性测试：批次间差异、均匀性、重复性、稳定性、统计过程控制、质量波动、公差范围、分布均匀性等。

12. 环境适应性测试：高温高湿、温度冲击、盐雾腐蚀、紫外线老化、振动测试、冲击测试、低气压测试、湿热循环等。

13. 结构完整性测试：裂纹检测、孔隙率、密度、气孔分布、层间结合力、界面性能、内部缺陷等。

14. 电学均匀性测试：电阻率分布、载流子浓度分布、少子寿命分布、光电性能均匀性、电压一致性等。

15. 热学均匀性测试：温度分布、热梯度、冷却速率、凝固过程控制、热应力分布等。

检测范围

多晶硅铸锭、单晶硅铸锭、太阳能级多晶硅、电子级多晶硅、铸造硅锭、定向凝固硅锭、块状多晶硅、柱状多晶硅、片状多晶硅、回收多晶硅、高纯多晶硅、掺杂多晶硅、未掺杂多晶硅、光伏用硅锭、半导体用硅锭、实验用硅锭、工业用硅锭、定制硅锭、标准硅锭、大尺寸硅锭、小尺寸硅锭、薄片硅锭等。

检测方法/标准

国际标准：

IEC 60904-1、IEC 60904-2、IEC 60904-3、ISO 14644-1、ISO 14644-2、ASTM F1241、ASTM F1392、JIS H 0602、IEC 61215、ISO 16750-1

国家标准：

GB/T 29055、GB/T 13384、GB/T 14139、GB/T 1551、GB/T 1552、GB/T 1553、GB/T 1554、GB/T 1555、GB/T 17684、GB/T 20042、GB/T 20234、GB/T 24533、GB/T 27930、GB/T 31467

检测设备

1. X射线衍射仪：用于分析晶体结构，确定晶格参数、相组成和晶体缺陷；高分辨率探测，数据自动处理。

2. 四探针测试仪：测量硅材料的电阻率和薄层电阻；可调压力探头，温度补偿功能。

3. 光谱仪：进行化学成分分析，检测杂质元素含量；电感耦合等离子体技术，高灵敏度。

4. 扫描电子显微镜：观察表面形貌和微观结构；高真空环境，能谱分析附件。

5. 霍尔效应测试系统：测量载流子浓度、迁移率和霍尔系数；磁场可控，低温选项。

6. 热分析仪：测试热性能参数如热导率和比热容；差示扫描量热法，热重分析。

7. 万能材料试验机：进行机械性能测试如抗弯强度和硬度；载荷范围广，数据采集系统。

8. 表面轮廓仪：测量尺寸精度和表面粗糙度；非接触式探头，三维扫描功能。

9. 光电测试系统：测试光学和电学性能如反射率和量子效率；单色光源，光谱响应测量。

10. 环境试验箱：模拟各种环境条件进行适应性测试；温度湿度控制，程序化循环。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.