半导体分立器件检测

检测项目

1.静态电参数测试：正向电压、反向击穿电压、反向漏电流、饱和压降、开启电压、关断电流、栅极阈值电压、栅极漏电流、静态电流放大系数、导通电阻、保持电流、擎住电流、结电容、反向恢复时间、正向恢复时间等。

2.动态与开关特性测试：开关时间、上升时间、下降时间、存储时间、延迟时间、开通损耗、关断损耗、总开关损耗、反向恢复电荷、栅极电荷、跨导、输出电容、输入电容、反向传输电容、安全工作区等。

3.热特性与热阻测试：结温、壳温、热阻、瞬态热阻抗、热容、功率循环能力、温度敏感参数、最高允许结温、热降额曲线、热耦合效应、散热器匹配特性、热疲劳寿命、热稳定性、热失控条件、温度系数等。

4.环境可靠性试验：高温存储、低温存储、温度循环、温度冲击、湿热试验、高压蒸煮、低气压试验、盐雾腐蚀、混合气体腐蚀、硫化氢试验、二氧化硫试验、臭氧试验、太阳辐射试验、防尘防水等级、结露试验等。

5.机械应力与耐久性测试：振动试验、机械冲击、碰撞试验、恒定加速度、引线疲劳、引线拉力、引线弯曲、键合强度、芯片剪切强度、封装体强度、端子强度、耐焊接热、可焊性、耐溶剂性、标识耐久性等。

6.长期寿命与加速老化测试：高温反向偏压寿命、高温栅极偏压寿命、高温工作寿命、功率温度循环、间歇工作寿命、静电放电敏感度等级、闩锁效应测试、电离辐射总剂量效应、单粒子效应、电迁移测试、材料老化分析等。

7.安全与失效模式测试：短路耐受能力、浪涌电流承受能力、过电压击穿模式、过电流烧毁模式、热失控测试、二次击穿测试、雪崩能量耐受、静电放电失效阈值、闩锁触发电流、失效分析与解剖、内部目检、粒子碰撞噪声检测等。

8.材料与结构分析：封装材料成分、芯片材料鉴定、镀层厚度与成分、内部金属间化合物、芯片粘接材料空洞率、塑封料玻璃化转变温度、热膨胀系数匹配性、内部污染物分析、钝化层完整性、金属层厚度与均匀性等。

9.信号完整性测试：高频特性、寄生参数提取、噪声系数、增益带宽积、截止频率、最大振荡频率、输入输出阻抗、散射参数、非线性失真、互调失真、相位噪声、群延迟、眼图测试、抖动特性等。

10.电磁兼容性测试：传导发射、辐射发射、传导抗扰度、辐射抗扰度、静电放电抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌抗扰度、工频磁场抗扰度、电压暂降与中断抗扰度、谐波电流发射等。

11.应用电路仿真验证：基于实测参数的电路模型拟合、开关波形仿真、损耗计算仿真、热仿真、电磁仿真、系统级可靠性仿真、故障注入仿真、驱动电路兼容性验证、保护电路动作验证、并联均流特性模拟等。

12.光学特性测试：发光二极管的光通量、发光强度、色坐标、色温、显色指数、波长、半强度角、光强分布、响应时间、光电转换效率、激光二极管的阈值电流、斜率效率、远场光斑、光谱宽度等。

13.特殊功能测试：敏感器件的灵敏度、响应时间、线性度、迟滞、重复性、稳定性、零点漂移、灵敏度温度系数、压力传感器的压力范围、过载能力、绝缘型器件的隔离电压、隔离电阻、耦合电容等。

14.批次一致性与统计过程控制：参数分布统计、批次间差异分析、工艺能力指数计算、关键参数相关性分析、早期失效筛选、老化筛选条件优化、抽样检验方案制定、质量一致性检验、数据追溯与分析等。

15.极端条件适应性测试：深低温工作特性、超高温度工作特性、强磁场环境下特性、真空环境下的热特性、高海拔电气性能、强振动环境下的电连接可靠性、核辐射环境下的参数漂移、太空环境综合模拟试验等。

检测范围

整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管、瞬态电压抑制二极管、变容二极管、开关二极管、发光二极管、激光二极管、光电二极管、双极结型晶体管、场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、晶闸管、门极可关断晶闸管、双向晶闸管、静电放电保护器件、微波功率晶体管、达林顿晶体管、敏感器件。

检测方法/标准

国际标准：

IEC 60747-1、IEC 60747-2、IEC 60747-3、IEC 60747-5、IEC 60747-6、IEC 60747-7、IEC 60747-8、IEC 60747-9、IEC 60747-10、IEC 60747-15、IEC 60749、IEC 60115、IEC 60146、IEC 62373、JEDEC JESD22、JEDEC JEP系列、MIL-STD-750、MIL-STD-883

国家标准：

GB/T 4023、GB/T 4586、GB/T 4587、GB/T 4937、GB/T 6218、GB/T 6571、GB/T 12560、GB/T 15290、GB/T 15291、GB/T 15516、GB/T 17573、GB/T 18904、GB/T 18910、GB/T 20516、GB/T 20944、GB/T 26111、SJ/T 10309、SJ/T 11074、SJ/T 11399

检测设备

1.半导体参数分析仪：用于精密测量器件的直流与低频交流参数，提供高精度电压源、电流源及测量单元，支持多种扫描模式与波形生成，可绘制完整的特性曲线族。

2.动态参数测试系统：专用于测试开关器件的开关时间、开关损耗及栅极电荷等动态参数，集成高压大电流脉冲发生与高速数据采集单元，模拟真实开关工况。

3.高低温环境试验箱：提供宽范围、高精度的温度环境，用于器件的温度特性测试、高低温存储试验及温度循环试验，具备快速变温能力与温湿度编程控制功能。

4.热阻测试系统：基于电学法或红外热像法等原理，精确测量半导体器件的结壳热阻、瞬态热阻抗等热特性参数，配备高精度温控平台与数据采集分析软件。

5.静电放电发生器：模拟人体放电模型、机器放电模型等不同静电放电事件，用于测试器件的静电放电敏感度等级，提供可调放电电压与波形。

6.功率循环与寿命测试系统：对器件施加周期性的功率负载，使其结温循环变化，用以测试器件的功率循环寿命与键合线、芯片焊接等互联结构的可靠性。

7.扫描电子显微镜：对器件内部结构或失效部位进行高分辨率显微观察与成分分析，用于失效分析、材料鉴定及工艺缺陷检测。

8.高精度示波器与电流探头：捕获器件在开关过程中的高速电压与电流波形，用于分析开关瞬态过程、测量开关时间及诊断电路振荡等问题。

9.环境应力筛选设备：集成随机振动台、温度冲击箱等，用于对器件进行加速环境应力筛选，激发潜在缺陷，提高交付器件的可靠性。

10.浪涌电流与短路测试平台：产生标准规定的非重复性浪涌电流或模拟系统短路故障，测试器件承受过电流应力的能力及失效模式。

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情，因时间等不可抗拒因素会发生变更，请咨询在线工程师.