外延生长检测

检测项目

1. 薄膜厚度：采用椭圆偏振法测量GaN/SiC异质结厚度（范围50nm-50μm），精度±0.15nm

2. 晶体质量：X射线衍射测定Al₂O₃衬底上GaAs外延层的位错密度（分辨率10³/cm²）

3. 表面粗糙度：原子力显微镜扫描Si外延片表面形貌（扫描面积50×50μm²，Ra≤0.2nm）

4. 掺杂浓度：二次离子质谱分析SiGe外延层硼掺杂梯度（检测限1×10¹⁴ atoms/cm³）

5. 界面缺陷密度：透射电镜观测InP/InGaAs异质结界面位错（放大倍数800kX）

检测范围

1. 半导体材料：Si基GaN功率器件外延片、4H-SiC同质外延层

2. 光电子材料：蓝宝石衬底GaN LED外延结构、InP基量子阱激光器

3. 超导薄膜：MgO衬底YBCO高温超导外延层

4. 金属外延层：单晶铜(111)面镍催化生长石墨烯

5. 二维材料：SiO₂/Si衬底CVD法生长MoS₂单层膜

检测方法

1. ASTM F1248-16：X射线双晶衍射法测定Ⅲ-Ⅴ族化合物外延层晶格失配度

2. ISO 14707:2015：辉光放电质谱法分析MBE生长薄膜成分深度分布

3. GB/T 17309-2021：激光干涉法测量硅外延片厚度均匀性

4. ISO 11039:2020：原子力显微镜纳米压痕法测试外延层杨氏模量

5. GB/T 35003-2018：低温光致发光谱表征量子阱外延结构界面质量

检测设备

1. Bruker D8 Discover X射线衍射仪：配备Eulerian cradle实现ω-2θ联动扫描

2. Veeco Dimension Icon原子力显微镜：峰值力轻敲模式（ScanAsyst）表面成像

3. Thermo Scientific Nexsa XPS系统：单色化Al Kα源（1486.6eV）化学态分析

4. KLA Tencor P-7表面轮廓仪：白光干涉垂直分辨率0.01nm

5. FEI Titan Themis Z双球差校正电镜：亚埃级晶格应变测量

6. Horiba LabRAM HR Evolution显微拉曼光谱仪：532nm激光空间分辨率300nm

7. CAMECA IMS 7f-auto SIMS：Cs+初级离子束深度剖析掺杂分布

8. Agilent 5500 SPM系统：导电原子力显微镜（CAFM）载流子浓度测绘

9. Oxford Instruments PlasmaPro 100 RIE：低温等离子体剖面制备系统

10. JEOL JXA-8530F电子探针：波长色散谱（WDS）元素面分布分析

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

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