自对准隔离工艺检测

检测项目

1.隔离层厚度测量：测量范围50-500nm，精度1.5nm（3σ），采用多波长椭偏仪进行全片扫描

2.侧壁角度分析：要求88-92垂直度偏差，使用临界尺寸扫描电镜（CD-SEM）进行三维形貌重建

3.界面缺陷密度检测：采用深能级瞬态谱（DLTS）测量界面态密度≤110⁰cm⁻eV⁻

4.漏电流特性测试：在25℃/125℃双温区下施加20V偏压时漏电流≤1nA/cm

5.台阶覆盖均匀性：通过TEM截面分析验证台阶处膜厚差异≤8%

检测范围

1.硅基集成电路中的浅沟槽隔离（STI）结构

2.GaNHEMT器件的AlGaN势垒层隔离结构

3.三维NAND存储器的深孔隔离介质层

4.MEMS器件的真空密封隔离环

5.功率器件终端区的场氧隔离结构

检测方法

1.ASTMF1248-16：基于椭圆偏振法的薄膜厚度测量标准

2.ISO14606:2015：半导体器件横截面制备与分析规范

3.GB/T16525-2017：半导体分立器件和集成电路热特性测试方法

4.JESD22-A117F：电子器件电应力测试标准

5.GB/T35010-2018：微机电系统（MEMS）技术晶圆级封装试验方法

检测设备

1.HitachiSU8200冷场发射扫描电镜：分辨率0.8nm@15kV，配备BSE探测器用于界面缺陷观测

2.KLA-TencorSpectraFilmF1椭偏仪：光谱范围190-1700nm，支持多层膜结构解析

3.ThermoFisherHeliosG4PFIB：30kV聚焦离子束系统，用于制备TEM样品截面

4.KeysightB1505A功率器件分析仪：最大电压3kV/1500A，支持脉冲I-V特性测试

5.BrukerDimensionIcon原子力显微镜：ScanAsyst模式实现0.1nm表面粗糙度测量

6.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD系统：空间分辨率<5nm的晶体取向分析

7.HamamatsuPHEMOS-X光发射显微镜：支持从可见光到近红外的缺陷定位

8.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜：空间分辨率0.08nm的原子级界面分析

9.Agilent4156C精密半导体参数分析仪：最小电流分辨率0.1fA的漏电流测试

10.VeecoDektakXT轮廓仪：垂直分辨率0.1的台阶高度测量系统

北京中科光析科学技术研究所【简称：中析研究所】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

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